金纳米线（AuNWs）是一种具有高长径比（通常50-200）的一维金属纳米结构，直径一般为20-80nm，长度可达数十微米。其沿长轴方向的自由电子传导使其电阻率远低于等体积金纳米颗粒的随机网络，同时一维形貌赋予了它在溶液中形成连续导电通路的独特能力。当AuNWs以随机网络形式沉积于透明基底上时，可在保持高透光率（>85%）的同时实现低方阻（<50 Ω/sq），是取代氧化铟锡（ITO）的新一代透明导电材料。

在柔性电子领域，AuNWs透明电极展现出ITO无法比拟的优势。ITO在反复弯折后易产生微裂纹导致电阻急剧上升，而AuNWs网络具有独特的"滑动接触"机制——弯折时纳米线之间发生相对滑移而非断裂，弯曲半径小于1mm时电阻变化率仅为ITO的1/10。2024年的研究已将AuNWs透明电极集成于可折叠OLED显示屏中，经过10万次弯折后透光率和方阻变化均小于5%，完全满足商业化柔性显示的严苛要求。

在电化学传感中，AuNWs修饰电极因其高比表面积和优异的电子传导性，对多巴胺、抗坏血酸、尿酸等小分子电活性物质表现出 *高的灵敏度。相较于金块电极，AuNWs修饰电极的峰电流提升3-5倍，检测限降低一个数量级。其一维结构还能有效抑制电极表面的污染效应，在连续测量中信号衰减更慢，适合长期在线监测。

制备AuNWs的主流方法为种子介导生长法：以CTAB为表面活性剂，以银离子为形貌导向剂，通过抗坏血酸还原HAuCl₄，在预先制备的金纳米种子表面定向生长，银离子优先吸附于晶体侧面抑制径向生长，从而促进一维延伸。通过调控银离子浓度、种子用量和还原剂加入速率，可精确控制纳米线的直径与长径比。多重孪生结构（五重孪生最为常见）是AuNWs的典型晶体特征，其沿<110>方向的五重对称生长决定了最终的一维形貌。

AuNWs还可通过 Langmuir-Blodgett 法或喷涂法大面积组装，构建高均匀性的透明导电薄膜，是下一代柔性太阳能电池、智能窗户和可穿戴传感器的关键材料。

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