碳化硅是一种具有优秀的物理和化学性质以及良好生物相容性的间接带隙半导体,它的块体材料的发光效率极低。由于量子限制效应,当把碳化硅的尺寸减小到小于大约十纳米时,它将具有很强的波长连续可调的发光,这使得碳化硅纳米材料具有良好的应用前景。然而,人们对于碳化硅纳米材料的发光机制尚未完全理解,而碳化硅量子点由于自身的性质使其在做成固体薄膜时容易团聚而不发光。

通过一步法完成SiC量子点的合成和表面改性,并对其微观结构、光学性质和理化性质进行了表征,结果表明该量子点半径小于激子波尔半径,导致了量子限制效应现象而产生光致发光,通过对其红外光谱的分析发现碳化硅量子点表面既已耦合了巯基,因此该量子点可以作为量子点标记技术中又一种新型的标记材料,然后用SiC量子水相溶液对有、无根皮苷环境下的串珠镰刀菌进行标记并长时程荧光成像,同时让已成功标记的该菌侵染苹果植株幼苗,试验表明,根皮苷能够促进串珠镰刀菌的生长,主要表现在菌落成长的速度和数量上,进一步研究发现,串珠镰刀菌生长态势随周围环境中根皮苷含量的增加而更趋旺盛,此外串珠镰刀菌对苹果幼苗侵染的动态示踪过程表明幼苗的第一感染部位为根毛区

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