MXene通常由相应的MAX相合成，其中X代表C或N（通过选择性蚀刻）。蚀刻通常在HF水溶液中进行，从而使MXene终止于F、O和OH等官能团。与其他2D材料的表面不同，这些官能团可以进行化学修饰，而具有不同表面基团的MXene会具备不同的特性，例如可开关的带隙、可调节的功函数、半金属性和铁磁性等等。

 MXene的光学性能

一般地，MXene的线性光学性质（如吸收、透过、光致发光）和非线性光学性质（如饱和吸收、非线性折射率）高度依赖于其能量结构（如能带隙、直接/间接带隙、拓扑性质等），更具体地说，其色散特性和非线性介电函数（ε）或折射率（ n）。

一般情况下，介质的光学性质可用其介电函数ε(ω)来描述：其中ω是光学频率，ε1(ω)和ε2(ω)分别是实部和虚部。在电子基态确定后，可在动量表示中计算介电函数，这需要在有电子本征态和无电子本征态之间转换矩阵元素。具体地说，介电函数的虚部可通过以下方程对空态求和来确定：其中e、m、Ω和分别是电子电荷、质量、晶体体积和费米分布。表示与晶体动量k和旋σ对应的第n本征值对应的晶体波函数。利用Kramers-Kronig变换从虚部ε2(ω)可得到实部ε1(ω)。一旦确定了介电函数ε(ω)，就可以根据标准光学关系估计出折射率、反射率和吸收或增益系数等等MXene的光学性能。

此外，由于带间跃迁的动量失配，能量等于带隙的光子不能被间接带隙MXenes吸收，通常需要较高的光子能量来激发电子跃迁。因此，间接带隙MXene（例如Ti2CO2）可进一步将其高传输窗口扩展到更高的光频率。在金属或类金属MXene材料中，还应考虑低于1ev能量的带内跃迁，并且应使用额外的Drude项校正介电常数。

MXene科研用试剂供应：

单层纳尺寸Ti3C2水分散液

单层氨基化V2C（V2C -NH2）Mxene

单层氨基化Nb2C（Nb2C -NH2）Mxene

单层氨基化Ti2C（Ti2C -NH2）Mxene

单层氨基化Ti3C2（Ti3C2-NH2)Mxene

单层W1.33C MXene

风琴状多层Ta2C MXenes材料

风琴状单层Ta2C MXenes分散液

单层Cr2C MXenes水分散液

多层VCrC-Mxene

单层VCrC-Mxene水分散液

V2C透明膜

氮硫掺杂V2Cmxene

V2CTx Mxene纳米孔V2O5阵列

原位多层VOx-V2C MXene异质结

羟基化Ti3C2

层状Ti3C2-MXenes材料

Nb2AlC MAX材料

Ti2AlN-MAX材料

Ti3GeC2-MAX

Ti4AlN3-MAX

Ti3AlC2/Cr2AlC靶材

Ti3SiC2 MAX相靶材

Cu原位掺杂Ti3alC2-Cu