瑞禧定制晶格条纹状氨基/羟基功能化GQD@VMSF石墨烯量子点

量子点又可称为半导体纳米晶体，目前报道的主要是由Ⅱ-V族(如 MgS、CdSe.ZnTe、HgSe)和Ⅲ-V族(如 GaAs、InGaAs、InP、InAs)元素组成的均一或核/壳结构(如CdS/HgS/CdS)纳米颗粒。今天瑞禧生物小编分享量子点修饰电极，一起看看吧：

以1,3,6-三硝基芘为碳源在碱性条件下经水热法合成，1,3,6-三硝基芘及OH-GQDs 的合成。OH-GQDs的具体合成步骤如下:在0.125 molL的NaOH溶液中加入7.3 mmolL的三硝基芘，超声分散后，在200℃下水热反应2h得到无明显颗粒的红棕色溶液。将溶液装入透析袋中透析2天以截留分子量大于1000 Da的OH-GQDs，溶液经冷冻干燥得到OH-GQDs固体。因此通过对VMSF/ITO(工作电极)施加恒定的正电压,采用电泳法将OH-GQDs修饰在 VMSF孔道中制备得到OH-GQD@VMSF/ITo。

通过TEM和AFM对合成所得OH-GQDs的尺寸大小、分布和高度进行表征。图(A)说明通过水热法制备的OH-GQDs尺寸大小均一。经统计OH-GQDs的平均尺寸为1.8 nm。与文献报道方法GQDs尺寸相比，本次采用缩短水热反应时间的方式可以减小GQDs尺寸。在高分辨TEM(HRTEM)图中可以观察到清晰的晶格条纹，其晶格间距为0.21 nm 与石墨烯(100)晶面一致。图 (B)为OH-GQDs的AFM表征结果，表明OH-GQDs的平均厚度约0.8 nm，证明合成所得的OH-GQDs具有单层石墨烯结构。

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