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R-AB-1280 10×10.5mm2氮化镓自支撑晶片(非掺杂) 10×10.5mm2氮化镓自支撑晶片(非掺杂),西安瑞禧生物科技有限公司提供多种科研试剂材料。 加入购物车
R-AB-1281 2英寸氮化镓自支撑晶片 (Fe掺杂) 2英寸氮化镓自支撑晶片 (Fe掺杂),西安瑞禧生物科技有限公司提供多种科研试剂材料。 加入购物车
R-AB-1282 2英寸氮化镓自支撑晶片 (Si掺杂) 2英寸氮化镓自支撑晶片 (Si掺杂),西安瑞禧生物科技有限公司提供多种科研试剂材料。 加入购物车
R-AB-1283 2英寸氮化镓自支撑晶片 (非掺杂) 2英寸氮化镓自支撑晶片 (非掺杂),西安瑞禧生物科技有限公司提供多种科研试剂材料。 加入购物车
R-AB-1284 TSV通孔 TSV技术(穿透硅通孔技术),一般简称硅通孔技术,是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。能够帮助客户完成TSV个性化要求。西安瑞禧生物科技有限公司提供多种科研试剂材料。 加入购物车
R-AB-1285 PDMS工艺 PDMS(聚二甲基硅氧烷),PDMS易于加工, 具有良好的化学惰性,光学透性好,成本低,是一种广泛用于微流控等领域的聚合物材料。微流控器件的制作,为客户提供整套PDMS微流控芯片解决方案。西安瑞禧生物科技有限公司提供多种科研试剂材料。 加入购物车
R-AB-1286 PI工艺 聚酰亚胺作为一种特种工程材料,被广泛应用于航空、航天、微电子、纳米、液晶、分离膜、激光等领域。西安瑞禧生物科技有限公司提供多种科研试剂材料。 加入购物车
R-AB-1287 键合工艺 键合技术广泛应用于微电子器件的生产过程中,如微腔器件,悬臂梁器件,牺牲层,特殊结构的制作等。西安瑞禧生物科技有限公司提供多种科研试剂材料。 加入购物车
R-AB-1288 刻蚀工艺 刻蚀(Etch)是按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性刻蚀的技术,它是半导体制造工艺,微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。刻蚀分为干法刻蚀和湿法腐蚀。西安瑞禧生物科技有限公司提供多种科研试剂材料。 加入购物车
R-L-0402 DMPE-PEG2000-CY5.5 DMPE-PEG2000-CY5.5 加入购物车
R-AB-1289 镀膜工艺 真空镀膜是指在真空环境下,将某种金属或非金属以气相的形式沉积到材料表面,形成一层致密的薄膜。镀膜质量对半导体器件的功能形成至关重要。西安瑞禧生物科技有限公司提供多种科研试剂材料。 加入购物车
R-DC-046 DSPE-CY5.5 DSPE-CY5.5由西安瑞禧科技有限公司提供 加入购物车
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